casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH20040R
codice articolo del costruttore | MBRH20040R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH20040R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH20040R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH20040R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH20040R-FT |
GP2D030A060B
Global Power Technologies Group
GDP15S120B
Global Power Technologies Group
GDP24P060B
Global Power Technologies Group
GDP30P120B
Global Power Technologies Group
GDP30S120B
Global Power Technologies Group
GDP36Z060B
Global Power Technologies Group
GDP50P120B
Global Power Technologies Group
GDP60P120B
Global Power Technologies Group
GDP60Z120E
Global Power Technologies Group
GP2D005A170B
Global Power Technologies Group
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel