casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GDP60P120B
codice articolo del costruttore | GDP60P120B |
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Numero di parte futuro | FT-GDP60P120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP60P120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 60A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 3581pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP60P120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP60P120B-FT |
DSA30I100PA
IXYS
DSA30I150PA
IXYS
DSB20I15PA
IXYS
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
DSEP29-12A
IXYS
DSEP8-06A
IXYS
DSEP8-06B
IXYS
DSS10-0045B
IXYS
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel