casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GDP30P120B
codice articolo del costruttore | GDP30P120B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GDP30P120B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP30P120B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 81A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 30A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1790pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30P120B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP30P120B-FT |
DPG15I200PA
IXYS
DPG15I300PA
IXYS
DPG30I300PA
IXYS
DSA15I45PA
IXYS
DSA30I100PA
IXYS
DSA30I150PA
IXYS
DSB20I15PA
IXYS
DSEP15-06A
IXYS
DSEP15-06B
IXYS
DSEP29-06B
IXYS
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel