casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF20200CTR
codice articolo del costruttore | MBRF20200CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF20200CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MBR |
MBRF20200CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF20200CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF20200CTR-FT |
BAT160A,115
Nexperia USA Inc.
BAT160S,115
Nexperia USA Inc.
BAT120A,115
Nexperia USA Inc.
BAT120S,115
Nexperia USA Inc.
BAT160C,115
Nexperia USA Inc.
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors
BYV415K-600PQ
WeEn Semiconductors
BAV99QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV170QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel