casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV170QAZ
codice articolo del costruttore | BAV170QAZ |
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Numero di parte futuro | FT-BAV170QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 180mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV170QAZ-FT |
SBRB1545CTG
ON Semiconductor
SURHB8840CTT4G
ON Semiconductor
MBRB2535CTL
ON Semiconductor
MBRB2535CTLT4
ON Semiconductor
MBRB2545CTT4
ON Semiconductor
MBRB3030CT
ON Semiconductor
MBRB3030CTL
ON Semiconductor
MBRB3030CTT4
ON Semiconductor
MURB1620CTR
ON Semiconductor
MURB1620CTRT4
ON Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel