casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99QAZ
codice articolo del costruttore | BAV99QAZ |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 170mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99QAZ-FT |
NRVBBS20100CTT4G
ON Semiconductor
SBRB1545CTG
ON Semiconductor
SURHB8840CTT4G
ON Semiconductor
MBRB2535CTL
ON Semiconductor
MBRB2535CTLT4
ON Semiconductor
MBRB2545CTT4
ON Semiconductor
MBRB3030CT
ON Semiconductor
MBRB3030CTL
ON Semiconductor
MBRB3030CTT4
ON Semiconductor
MURB1620CTR
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel