casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD620CTT4G
codice articolo del costruttore | MBRD620CTT4G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD620CTT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD620CTT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD620CTT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD620CTT4G-FT |
SB05W05C-TB-E
ON Semiconductor
DCA010-TB-E
ON Semiconductor
DCB010-TB-E
ON Semiconductor
BAT54CXV3T1G
ON Semiconductor
BAT54CXV3T1
ON Semiconductor
1SS383T1G
ON Semiconductor
NSVMBD54DWT1G
ON Semiconductor
MBD54DWT1G
ON Semiconductor
SHN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor
HN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel