casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SHN2D02FUTW1T1G
codice articolo del costruttore | SHN2D02FUTW1T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SHN2D02FUTW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SHN2D02FUTW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SOT-363) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SHN2D02FUTW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SHN2D02FUTW1T1G-FT |
SBT100-10G
ON Semiconductor
NTSJ40100CTG
ON Semiconductor
NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor
BAW56M3T5G
ON Semiconductor
DAN222M3T5G
ON Semiconductor
DAP222M3T5G
ON Semiconductor
NSR30CM3T5G
ON Semiconductor
NSDEMP11XV6T1G
ON Semiconductor
SBAS16DXV6T1G
ON Semiconductor
BAS16DXV6T1G
ON Semiconductor
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel