casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DCB010-TB-E
codice articolo del costruttore | DCB010-TB-E |
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Numero di parte futuro | FT-DCB010-TB-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DCB010-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-96 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCB010-TB-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DCB010-TB-E-FT |
MUR1640CT
ON Semiconductor
MUR1660CT
ON Semiconductor
MUR620CT
ON Semiconductor
MURH840CT
ON Semiconductor
MURH860CT
ON Semiconductor
NTST40120CTH
ON Semiconductor
SBT100-10G
ON Semiconductor
NTSJ40100CTG
ON Semiconductor
NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor
BAW56M3T5G
ON Semiconductor
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel