casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRD3200TR
codice articolo del costruttore | MBRD3200TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBRD3200TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRD3200TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 100pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD3200TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD3200TR-FT |
VS-30WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel