casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30WQ10FNTRHM3
codice articolo del costruttore | VS-30WQ10FNTRHM3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30WQ10FNTRHM3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30WQ10FNTRHM3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30WQ10FNTRHM3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30WQ10FNTRHM3-FT |
VS-8EWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWH06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation