casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB760HE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB760HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB760HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB760HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB760HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB760HE3_A/P-FT |
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY135-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation