casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAY80-TAP
codice articolo del costruttore | BAY80-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BAY80-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAY80-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAY80-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAY80-TAP-FT |
BYM07-400HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation