casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DDB6U104N16RRBOSA1
codice articolo del costruttore | DDB6U104N16RRBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DDB6U104N16RRBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDB6U104N16RRBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1600A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U104N16RRBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDB6U104N16RRBOSA1-FT |
C4D10120D
Cree/Wolfspeed
C4D20120D
Cree/Wolfspeed
C4D40120D
Cree/Wolfspeed
C4D30120D
Cree/Wolfspeed
C3D30065D
Cree/Wolfspeed
C4D15120D
Cree/Wolfspeed
C3D16060D
Cree/Wolfspeed
C3D20065D
Cree/Wolfspeed
C3D16065D
Cree/Wolfspeed
C2D10120D
Cree/Wolfspeed
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel