casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30H100CT-G1
codice articolo del costruttore | MBR30H100CT-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30H100CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30H100CT-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H100CT-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30H100CT-G1-FT |
F1827CCD400
Sensata-Crydom
F1842CAD400
Sensata-Crydom
F1842CAD600
Sensata-Crydom
B484F-2
Sensata-Crydom
C3D20060D
Cree/Wolfspeed
C4D10120D
Cree/Wolfspeed
C4D20120D
Cree/Wolfspeed
C4D40120D
Cree/Wolfspeed
C4D30120D
Cree/Wolfspeed
C3D30065D
Cree/Wolfspeed
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel