casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB30H45CTHE3/45
codice articolo del costruttore | MBRB30H45CTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB30H45CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H45CTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H45CTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB30H45CTHE3/45-FT |
MAD1106E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1107E3/TU
Microsemi Corporation
MB20H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CTC0
Taiwan Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel