casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10100CS2TR-E1
codice articolo del costruttore | MBR10100CS2TR-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100CS2TR-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100CS2TR-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CS2TR-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100CS2TR-E1-FT |
IRKD166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel