casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR10100CS2-E1
codice articolo del costruttore | MBR10100CS2-E1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100CS2-E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100CS2-E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100CS2-E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100CS2-E1-FT |
IRKD166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel