casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB20H90CT-E3/81
codice articolo del costruttore | MBRB20H90CT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB20H90CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRB20H90CT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 90V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H90CT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB20H90CT-E3/81-FT |
FEPB6CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
GIB2401-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
GIB2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GIB2401HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel