casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEPB6DTHE3/81
codice articolo del costruttore | FEPB6DTHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FEPB6DTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEPB6DTHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB6DTHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEPB6DTHE3/81-FT |
30CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel