casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GIB2401HE3/45
codice articolo del costruttore | GIB2401HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-GIB2401HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GIB2401HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2401HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GIB2401HE3/45-FT |
30CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel