casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GIB2401HE3/45
codice articolo del costruttore | GIB2401HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-GIB2401HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GIB2401HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2401HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GIB2401HE3/45-FT |
30CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel