casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRB10100-E3/4W
codice articolo del costruttore | MBRB10100-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB10100-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
MBRB10100-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10100-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB10100-E3/4W-FT |
VB20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25TB60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel