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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3

Name: VS-HFA08TB120S-M3
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-HFA08TB120S-M3
Price: 1.216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (473 reviews)

Numero parte MFG: VS-HFA08TB120S-M3

quantità disponibile: 80340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.216

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: HEXFRED® DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: VS-HFA08TB120S-M3.pdf

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VS-HFA08TB120S-M3 specificazioni

codice articolo del costruttore	VS-HFA08TB120S-M3
Numero di parte futuro	FT-VS-HFA08TB120S-M3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFRED®
VS-HFA08TB120S-M3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente: media rettificata (Io)	8A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	4.3V @ 16A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB (D²PAK)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-HFA08TB120S-M3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	VS-HFA08TB120S-M3-FT

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