casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA16TB120S-M3
codice articolo del costruttore | VS-HFA16TB120S-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA16TB120S-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA16TB120S-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.93V @ 32A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 135ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA16TB120S-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA16TB120S-M3-FT |
RGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel