casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X080A150
codice articolo del costruttore | MBR2X080A150 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR2X080A150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X080A150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 80A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 80A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X080A150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X080A150-FT |
MBRF30060
GeneSiC Semiconductor
MBRF30060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF400100
GeneSiC Semiconductor
MBRF400100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF400150
GeneSiC Semiconductor
MBRF400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40020
GeneSiC Semiconductor
MBRF400200
GeneSiC Semiconductor
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel