casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X060A200
codice articolo del costruttore | MBR2X060A200 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X060A200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X060A200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X060A200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X060A200-FT |
MBRF30040
GeneSiC Semiconductor
MBRF30040R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30045
GeneSiC Semiconductor
MBRF30045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30060
GeneSiC Semiconductor
MBRF30060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF400100
GeneSiC Semiconductor
MBRF400100R
GeneSiC Semiconductor
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation