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codice articolo del costruttore | MBR5H100MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR5H100MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBR5H100MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5H100MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR5H100MFST1G-FT |
MBRB8H100T4G
ON Semiconductor
NBRB8H100T4G
ON Semiconductor
MBRB2515LT4G
ON Semiconductor
NRVBB1645T4G
ON Semiconductor
SBRB1045T4G
ON Semiconductor
MBRB1645T4G
ON Semiconductor
NRVBB1060W1T4G
ON Semiconductor
NRVBB4030T4G
ON Semiconductor
SBRB1045G
ON Semiconductor
MBRB2515L
ON Semiconductor
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel