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codice articolo del costruttore | MBR5H100MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR5H100MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBR5H100MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5H100MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR5H100MFST1G-FT |
MBRB8H100T4G
ON Semiconductor
NBRB8H100T4G
ON Semiconductor
MBRB2515LT4G
ON Semiconductor
NRVBB1645T4G
ON Semiconductor
SBRB1045T4G
ON Semiconductor
MBRB1645T4G
ON Semiconductor
NRVBB1060W1T4G
ON Semiconductor
NRVBB4030T4G
ON Semiconductor
SBRB1045G
ON Semiconductor
MBRB2515L
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel