casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NBRB8H100T4G
codice articolo del costruttore | NBRB8H100T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NBRB8H100T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NBRB8H100T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NBRB8H100T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NBRB8H100T4G-FT |
1N4935G
ON Semiconductor
1N5818G
ON Semiconductor
MUR160G
ON Semiconductor
1N5817RLG
ON Semiconductor
MUR140RLG
ON Semiconductor
MUR210RLG
ON Semiconductor
MUR120G
ON Semiconductor
1N4006G
ON Semiconductor
MUR130G
ON Semiconductor
MUR140G
ON Semiconductor
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.