casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NBRB8H100T4G
codice articolo del costruttore | NBRB8H100T4G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NBRB8H100T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NBRB8H100T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NBRB8H100T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NBRB8H100T4G-FT |
1N4935G
ON Semiconductor
1N5818G
ON Semiconductor
MUR160G
ON Semiconductor
1N5817RLG
ON Semiconductor
MUR140RLG
ON Semiconductor
MUR210RLG
ON Semiconductor
MUR120G
ON Semiconductor
1N4006G
ON Semiconductor
MUR130G
ON Semiconductor
MUR140G
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel