casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NBRB8H100T4G
codice articolo del costruttore | NBRB8H100T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NBRB8H100T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NBRB8H100T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 600pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NBRB8H100T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NBRB8H100T4G-FT |
1N4935G
ON Semiconductor
1N5818G
ON Semiconductor
MUR160G
ON Semiconductor
1N5817RLG
ON Semiconductor
MUR140RLG
ON Semiconductor
MUR210RLG
ON Semiconductor
MUR120G
ON Semiconductor
1N4006G
ON Semiconductor
MUR130G
ON Semiconductor
MUR140G
ON Semiconductor
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel