casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVBB1060W1T4G
codice articolo del costruttore | NRVBB1060W1T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVBB1060W1T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive |
NRVBB1060W1T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBB1060W1T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVBB1060W1T4G-FT |
MUR210RLG
ON Semiconductor
MUR120G
ON Semiconductor
1N4006G
ON Semiconductor
MUR130G
ON Semiconductor
MUR140G
ON Semiconductor
MUR1100EG
ON Semiconductor
MUR180EG
ON Semiconductor
1N5819G
ON Semiconductor
MUR210G
ON Semiconductor
1N5817G
ON Semiconductor
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel