casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X050A100
codice articolo del costruttore | MBR2X050A100 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X050A100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X050A100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X050A100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X050A100-FT |
MBRF300150
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30035
GeneSiC Semiconductor
MBRF30035R
GeneSiC Semiconductor
MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484C7
Intel
10AX027E3F27I2LG
Intel
10M08SCU169A7G
Intel
5SGXMBBR2H43I2LN
Intel
XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1
Intel
EP20K200CB356C7
Intel