casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X050A060
codice articolo del costruttore | MBR2X050A060 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X050A060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X050A060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X050A060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X050A060-FT |
MBRF300100
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030R
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel