casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X050A060
codice articolo del costruttore | MBR2X050A060 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X050A060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X050A060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X050A060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X050A060-FT |
MBRF300100
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150
GeneSiC Semiconductor
MBRF300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200
GeneSiC Semiconductor
MBRF300200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor
MBRF30030R
GeneSiC Semiconductor
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation