casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR40035CTL
codice articolo del costruttore | MBR40035CTL |
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Numero di parte futuro | FT-MBR40035CTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR40035CTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40035CTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR40035CTL-FT |
MBR2X160A200
GeneSiC Semiconductor
FST63100M
GeneSiC Semiconductor
FST6310M
GeneSiC Semiconductor
FST6315M
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FST6320M
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FST6330M
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FST6360M
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ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
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LCMXO2-7000ZE-3TG144I
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A1010B-PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
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10M25DCF256C7G
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5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation