casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST6330M
codice articolo del costruttore | FST6330M |
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Numero di parte futuro | FT-FST6330M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST6330M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D61-3M |
Pacchetto dispositivo fornitore | D61-3M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST6330M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST6330M-FT |
MBRF500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50020
GeneSiC Semiconductor
MBRF500200
GeneSiC Semiconductor
MBRF500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50030
GeneSiC Semiconductor
MBRF50030R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50035
GeneSiC Semiconductor
MBRF50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50040
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
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LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel