casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST6335M
codice articolo del costruttore | FST6335M |
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Numero di parte futuro | FT-FST6335M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST6335M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D61-3M |
Pacchetto dispositivo fornitore | D61-3M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST6335M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST6335M-FT |
MBRF50020
GeneSiC Semiconductor
MBRF500200
GeneSiC Semiconductor
MBRF500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50020R
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MBRF50030
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MBRF50030R
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MBRF50035
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MBRF50035R
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MBRF50040
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MBRF50040R
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EP2C5T144I8
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A1020B-2PQG100I
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EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
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XC4028EX-3HQ208C
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LFE2-12SE-6FN256C
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10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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