casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR40030CTL
codice articolo del costruttore | MBR40030CTL |
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Numero di parte futuro | FT-MBR40030CTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR40030CTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40030CTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR40030CTL-FT |
MBR2X160A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A200
GeneSiC Semiconductor
FST63100M
GeneSiC Semiconductor
FST6310M
GeneSiC Semiconductor
FST6315M
GeneSiC Semiconductor
FST6320M
GeneSiC Semiconductor
FST6330M
GeneSiC Semiconductor
FST6335M
GeneSiC Semiconductor
FST6340M
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel