casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30H100CT
codice articolo del costruttore | MBR30H100CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30H100CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBR30H100CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30H100CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30H100CT-FT |
SBL6060PT
Diodes Incorporated
SBR60A300PT
Diodes Incorporated
SBT250-04L
ON Semiconductor
SB80W06T-H
ON Semiconductor
SB80W10T-H
ON Semiconductor
FFSH10120ADN-F155
ON Semiconductor
FFSH30120ADN-F155
ON Semiconductor
FFSH15120ADN-F155
ON Semiconductor
FFSH20120ADN-F155
ON Semiconductor
MUR3040WTG
ON Semiconductor
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel