casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBT250-04L
codice articolo del costruttore | SBT250-04L |
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Numero di parte futuro | FT-SBT250-04L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBT250-04L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBT250-04L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBT250-04L-FT |
MA3S132DGL
Panasonic Electronic Components
MA3S132E0L
Panasonic Electronic Components
MA3S132EGL
Panasonic Electronic Components
MA3S13300L
Panasonic Electronic Components
MA3S1330GL
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MA3S13700L
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MA3S1370GL
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MA3S781DGL
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MA3S781E0L
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MA3S781EGL
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XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel