casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SB80W10T-H
codice articolo del costruttore | SB80W10T-H |
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Numero di parte futuro | FT-SB80W10T-H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SB80W10T-H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB80W10T-H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SB80W10T-H-FT |
MA3S132EGL
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MA3S13300L
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MA3S1330GL
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MA3S13700L
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MA3S1370GL
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MA3S781DGL
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A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation