casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / C4D30120D
codice articolo del costruttore | C4D30120D |
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Numero di parte futuro | FT-C4D30120D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C4D30120D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 21.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 15A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D30120D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C4D30120D-FT |
MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
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EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel