casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / C3D20060D
codice articolo del costruttore | C3D20060D |
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Numero di parte futuro | FT-C3D20060D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D20060D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D20060D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3D20060D-FT |
MBR30035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
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5SGXEA7K2F40I2L
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5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
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XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation