casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2535CTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR2535CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2535CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR2535CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2535CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2535CTHC0G-FT |
GP1003 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1004HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1006HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1007 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1007HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation