casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GP1006HC0G
codice articolo del costruttore | GP1006HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-GP1006HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GP1006HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1006HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1006HC0G-FT |
MBRF20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF2550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ208B
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C9
Intel
5SGXEA5N1F45C1N
Intel
XC7VX415T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2LG
Intel
10AX057K1F35E1SG
Intel