casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GP1003 C0G
codice articolo del costruttore | GP1003 C0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GP1003 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1003 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1003 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1003 C0G-FT |
MBRF20H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20H150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRF25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel