casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2045CT-E3/45
codice articolo del costruttore | MBR2045CT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2045CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2045CT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2045CT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2045CT-E3/45-FT |
FEP16DT-33HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT-5001HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-1HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel