casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEP16DT-5001HE3/45
codice articolo del costruttore | FEP16DT-5001HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FEP16DT-5001HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FEP16DT-5001HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16DT-5001HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEP16DT-5001HE3/45-FT |
V30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel