casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FEP16DT/45
codice articolo del costruttore | FEP16DT/45 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FEP16DT/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FEP16DT/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16DT/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FEP16DT/45-FT |
V30M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40100G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel