casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2035CT-E3/45
codice articolo del costruttore | MBR2035CT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2035CT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2035CT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2035CT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2035CT-E3/45-FT |
FEP16CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT-33HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT-5001HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-1HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel