casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RS256APNF-G-JNE1
codice articolo del costruttore | MB85RS256APNF-G-JNE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RS256APNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | 25MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS256APNF-G-JNE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RS256APNF-G-JNE1-FT |
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel