casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD5F2GQ4UEYIGY
codice articolo del costruttore | GD5F2GQ4UEYIGY |
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Numero di parte futuro | FT-GD5F2GQ4UEYIGY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F2GQ4UEYIGY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 700µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F2GQ4UEYIGY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD5F2GQ4UEYIGY-FT |
71016S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel