casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD5F2GQ4UFYIGY
codice articolo del costruttore | GD5F2GQ4UFYIGY |
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Numero di parte futuro | FT-GD5F2GQ4UFYIGY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F2GQ4UFYIGY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 700µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F2GQ4UFYIGY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD5F2GQ4UFYIGY-FT |
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel